一、考查目標(biāo)
本科目主要考查學(xué)生對X射線、電子顯微等近代分析測試技術(shù)研究材料微觀組織、結(jié)構(gòu)及成分分析的基本原理、儀器構(gòu)造和應(yīng)用范圍等的掌握，并能對測試結(jié)果進行科學(xué)分析。
二、考試形式與試卷結(jié)構(gòu)
（一）試卷滿分及考試時間
試卷滿分為100分，考試時間為2小時。
（二）答題方式
閉卷、筆試。
（三）試卷內(nèi)容結(jié)構(gòu)
X射線分析理論基礎(chǔ)：占20%
X射線衍射方法及衍射分析：占30%
TEM分析：占10%
SEM分析：占25%
其它材料分析測試技術(shù)：占15%
（四）試卷題型結(jié)構(gòu)
名詞解釋：20%
簡答題：50%
論述題：30%
三、考查內(nèi)容及要求
（一）X射線分析理論基礎(chǔ)
1．X射線的本質(zhì)及x射線譜；
2．X射線與物質(zhì)的相互作用；
3．X射線衍射與布拉格方程；
4．倒易點陣；
5．X射線衍射強度與結(jié)構(gòu)因數(shù)的計算。
要求：掌握X射線物理學(xué)基礎(chǔ)（X射線本質(zhì)、X射線譜、X射線與物質(zhì)相互作用）；理解X射線運動學(xué)衍射理論，能夠運用Ewald圖解進行衍射分析，會進行衍射強度的計算，熟悉倒易點陣。
（二）X射線衍射方法及衍射分析
1．粉末照相法；
2．X射線衍射儀法；
3．物相的定性分析；
4．物相的定量分析；
5．X射線在材料測試分析方面的其他應(yīng)用。
要求：掌握兩種X射線衍射方法（粉末照相、多晶衍射儀法）；了解晶體取向的測定方法及分析步驟；能夠進行點陣常數(shù)的測定；掌握多晶體物相分析并進行相應(yīng)的定量計算；掌握宏觀應(yīng)力的測定。
（三）TEM分析
1． 電子與物質(zhì)的交互作用；
2． 透射電鏡的結(jié)構(gòu)及應(yīng)用；
3． 電子衍射及結(jié)構(gòu)分析；
4． 材料薄膜樣品的制備與薄晶體樣品的衍襯成像原理。
要求：掌握電子與物質(zhì)相互作用理論。熟練掌握TEM結(jié)構(gòu)、原理、樣品制備、金屬薄膜的衍射分析。
（四）SEM分析
1． 掃描電鏡工作原理、構(gòu)造和性能；
2．掃描電鏡在材料研究中的應(yīng)用。
要求：了解掃描電鏡的基本結(jié)構(gòu)和工作原理；熟練掌握掃描電鏡在材料分析中的應(yīng)用（表界面、斷口分析）。
（五）其它材料分析測試技術(shù)
1．熱分析及應(yīng)用；
2．波譜儀及應(yīng)用；
3．能譜儀及應(yīng)用；
4．電子探針分析方法及微區(qū)成分分析技術(shù)。
要求： 掌握熱分析技術(shù)，熟練掌握波譜儀和能譜儀以及電子探針分析方法。
四、考試用具說明
考試需攜帶計算器。
原文標(biāo)題：2018年材料學(xué)院碩士研究生招生考試復(fù)試大綱
原文鏈接：http://grs.sjzu.edu.cn/info/1020/1987.htm
